1. Diodo de recuperação rápida
O diodo de recuperação rápida, FRD, é um diodo semicondutor com boas características de comutação e tempo de recuperação reverso curto. Possui condutividade unidirecional como diodos comuns. É usado principalmente em circuitos eletrônicos de fontes de alimentação de comutação, moduladores de largura de pulso, inversores, etc. É usado principalmente como diodos retificadores de alta frequência, diodos de roda livre ou diodos de amortecimento.
2. Diodo de barreira Schottky
O diodo Schottky Barrier, abreviado como SBD, não é fabricado usando o princípio da junção PN.
É um semicondutor feito de metal como ânodo e semicondutor tipo N como cátodo, usando a barreira formada na superfície de contato dos dois com características de retificação. Um dispositivo semicondutor é um tipo de diodo portador quente.
Os diodos Schottky são usados principalmente em circuitos como diodos retificadores, diodos de giro livre, diodos de proteção, etc., e são usados principalmente em circuitos de baixa tensão e alta corrente, como fontes de alimentação de comutação, conversor de frequência, inversor, comunicação de microondas.
3. Recursos de diodos de recuperação rápida e diodo de barreira Schottky
uma. O tempo de recuperação reversa dos diodos de recuperação rápida é de várias centenas de nanossegundos, enquanto o diodo Schottky Barrier é mais rápido que ele, mesmo vários nanossegundos;
b. A tensão de ruptura reversa dos diodos de recuperação rápida é alta, geralmente superior a 200V, ou mesmo vários milhares de volts, enquanto a tensão de ruptura reversa dos diodos da Barreira Schottky é muito baixa, geralmente abaixo de 100V, e alguns serão maiores;
c. O consumo de energia dos diodos de recuperação rápida é relativamente grande, enquanto os diodos da Schottky Barrier têm um tempo de recuperação reverso curto, baixa perda e baixo ruído.
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